
C2M1000170J-TR Wolfspeed, Inc.

Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 439.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C2M1000170J-TR Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C2M1000170J-TR за ціною від 429.15 грн до 888.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C2M1000170J-TR | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 3196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C2M1000170J-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V |
на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
C2M1000170J-TR | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M1000170J-TR | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
C2M1000170J-TR | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |