на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 452.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C2M1000170J Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: C2M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції C2M1000170J за ціною від 375.50 грн до 994.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm |
на замовлення 5170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C2M1000170J | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| C2M1000170J | Виробник : CREE |
N-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
C2M1000170J Код товару: 144493
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|