Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > C2M1000170J

C2M1000170J

Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf
Код товару: 144493
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C2M1000170J за ціною від 381.55 грн до 912.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C2M1000170J C2M1000170J CREE info-tc2m1000170j.pdf N-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+486.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J C2M1000170J WOLFSPEED CREE-S-A0013580922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.19 грн
5+695.80 грн
10+506.40 грн
50+455.89 грн
100+420.12 грн
250+411.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J C2M1000170J Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.36 грн
50+499.24 грн
100+462.77 грн
500+381.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J C2M1000170J Wolfspeed Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J info-tc2m1000170j.pdf
C2M1000170J
Виробник: CREE
N-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+486.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J CREE-S-A0013580922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
C2M1000170J
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+885.19 грн
5+695.80 грн
10+506.40 грн
50+455.89 грн
100+420.12 грн
250+411.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf
C2M1000170J
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+912.36 грн
50+499.24 грн
100+462.77 грн
500+381.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf
C2M1000170J
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.