| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 256+ | 57.35 грн |
| 299+ | 49.13 грн |
| 316+ | 46.58 грн |
| 500+ | 41.99 грн |
| 1000+ | 36.52 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
256 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3D02065E-TR Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO2522, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C3D02065E-TR за ціною від 26.99 грн до 125.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3D02065E-TR | Wolfspeed, Inc. |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO2522Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3D02065E-TR | Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 2A, 650V |
на замовлення 7454 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| C3D02065E-TR |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.05 грн |
| 10+ | 75.96 грн |
| 100+ | 50.79 грн |
| C3D02065E-TR |
|
Виробник: Wolfspeed
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 2A, 650V
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 2A, 650V
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.79 грн |
| 10+ | 84.97 грн |
| 100+ | 49.61 грн |
| 500+ | 39.06 грн |
| 1000+ | 35.66 грн |
| 2500+ | 28.50 грн |
| 10000+ | 26.99 грн |