Продукція > WOLFSPEED > C3D02065E-TR
C3D02065E-TR

C3D02065E-TR Wolfspeed

Wolfspeed_C3D02065E_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 2A, 650V
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.24 грн
10+78.52 грн
100+45.84 грн
500+36.09 грн
1000+32.96 грн
2500+26.34 грн
10000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3D02065E-TR Wolfspeed

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO2522, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-252-2, Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції C3D02065E-TR за ціною від 50.06 грн до 122.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3D02065E-TR C3D02065E-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D02065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.28 грн
10+74.87 грн
100+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02065E-TR C3D02065E-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D02065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.