C3D03065E-TR Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.34 грн |
| 10+ | 101.22 грн |
| 100+ | 68.68 грн |
| 500+ | 51.38 грн |
| 1000+ | 47.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3D03065E-TR Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO2522, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 11A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C3D03065E-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| C3D03065E-TR | Виробник : Wolfspeed |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 11.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
C3D03065E-TR | Виробник : Wolfspeed |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 11.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
C3D03065E-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO2522 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|
 |
C3D03065E-TR | Виробник : Wolfspeed |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 3A, 650V |
товару немає в наявності |