Продукція > WOLFSPEED, INC. > C3D03065E-TR
C3D03065E-TR

C3D03065E-TR Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_C3D03065E_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.88 грн
10+90.59 грн
100+61.48 грн
500+45.99 грн
1000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3D03065E-TR Wolfspeed, Inc.

Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO2522, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 11A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.

Інші пропозиції C3D03065E-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3D03065E-TR C3D03065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D03065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03065E-TR C3D03065E-TR Wolfspeed C3D03065E-2935355.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 3A, 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03065E-TR C3D03065E-TR Wolfspeed c3d03065e.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 11.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03065E-TR Wolfspeed_C3D03065E_data_sheet.pdf
C3D03065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03065E-TR C3D03065E-2935355.pdf
C3D03065E-TR
Виробник: Wolfspeed
Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 3A, 650V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03065E-TR c3d03065e.pdf
C3D03065E-TR
Виробник: Wolfspeed
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 11.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.