C3D04060E-TR Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.28 грн |
| 10+ | 107.60 грн |
| 100+ | 73.78 грн |
| 500+ | 55.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3D04060E-TR Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 13.5A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
Інші пропозиції C3D04060E-TR за ціною від 52.29 грн до 181.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3D04060E-TR | Виробник : Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A |
на замовлення 9295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3D04060E-TR | Виробник : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
C3D04060E-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 13.5A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |