
C3D04065E-TR Wolfspeed, Inc.

Description: DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 206.11 грн |
10+ | 128.21 грн |
100+ | 88.09 грн |
500+ | 66.57 грн |
1000+ | 61.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3D04065E-TR Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2522, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 13.5A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C3D04065E-TR за ціною від 64.63 грн до 64.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C3D04065E-TR | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
C3D04065E-TR | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
C3D04065E-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 13.5A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
C3D04065E-TR | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |