| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 120.79 грн |
| 100+ | 119.59 грн |
| 500+ | 110.51 грн |
| 1000+ | 95.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3D06065E Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C3D06065E за ціною від 132.52 грн до 373.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
C3D06065E | Wolfspeed |
 Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
C3D06065E | Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
C3D06065E | Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 6A |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
C3D06065E | Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. |
| C3D06065E |
|
Виробник: Wolfspeed
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1650+ | 245.15 грн |
| C3D06065E |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 373.51 грн |
| 75+ | 177.67 грн |
| 150+ | 162.61 грн |
| 525+ | 132.52 грн |