Технічний опис C3D08065E-TR Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 25.5A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції C3D08065E-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
C3D08065E-TR | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
C3D08065E-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25.5A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
C3D08065E-TR | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |