C3D10065E
Код товару: 168305
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції C3D10065E за ціною від 137.51 грн до 385.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3D10065E | Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 650V 32A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
C3D10065E | Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 460.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 32A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
C3D10065E | Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C3D10065E |
|
Виробник: Wolfspeed
Diode Schottky SiC 650V 32A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
Diode Schottky SiC 650V 32A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 180.57 грн |
| C3D10065E |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 385.13 грн |
| 10+ | 246.70 грн |
| 100+ | 176.46 грн |
| 500+ | 137.51 грн |