C3M0015065K Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3516.98 грн |
| 30+ | 2303.83 грн |
| 120+ | 2294.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0015065K Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-4L, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA, Power Dissipation (Max): 416W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V.
Інші пропозиції C3M0015065K за ціною від 2399.52 грн до 3856.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0015065K | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|