Продукція > WOLFSPEED, INC. > C3M0016120K
C3M0016120K

C3M0016120K Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_C3M0016120K_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1712.55 грн
30+1160.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0016120K Wolfspeed, Inc.

Description: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 556W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm.

Інші пропозиції C3M0016120K за ціною від 3646.72 грн до 3929.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0016120K C3M0016120K WOLFSPEED CREE-S-A0008117275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 556W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3929.64 грн
5+3928.84 грн
10+3928.04 грн
50+3646.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K C3M0016120K Wolfspeed Wolfspeed_C3M0016120K_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K CREE-S-A0008117275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
C3M0016120K
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 556W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3929.64 грн
5+3928.84 грн
10+3928.04 грн
50+3646.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K Wolfspeed_C3M0016120K_data_sheet.pdf
C3M0016120K
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.