C3M0016120K1 Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET N-CH 1200V 125A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22.08mA
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 80.28A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3582.40 грн |
| 30+ | 2353.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0016120K1 Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET N-CH 1200V 125A TO247-4L, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Supplier Device Package: TO-247-4L, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22.08mA, Power Dissipation (Max): 483W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 80.28A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції C3M0016120K1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0016120K1 | Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C3M0016120K1 |
|
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)