Продукція > WOLFSPEED > C3M0021120D
C3M0021120D

C3M0021120D Wolfspeed

Wolfspeed_C3M0021120D_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1430.96 грн
10+1219.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0021120D Wolfspeed

Description: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 469W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції C3M0021120D за ціною від 1177.86 грн до 4258.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0021120D C3M0021120D Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0021120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2096.95 грн
30+1302.75 грн
120+1177.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120D C3M0021120D Виробник : Wolfspeed c3m0021120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2328.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120D C3M0021120D Виробник : Wolfspeed c3m0021120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2397.06 грн
10+2254.82 грн
25+2215.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120D C3M0021120D Виробник : Wolfspeed c3m0021120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2568.28 грн
10+2415.87 грн
25+2373.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120D C3M0021120D Виробник : WOLFSPEED CREE-S-A0011845390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4258.50 грн
5+3725.75 грн
10+3087.15 грн
50+2570.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120D C3M0021120D Виробник : Wolfspeed c3m0021120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120D Виробник : Wolfspeed c3m0021120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.