C3M0021120K Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2082.55 грн |
| 30+ | 1536.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0021120K Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V, Power Dissipation (Max): 469W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0021120K за ціною від 1435.29 грн до 3505.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 200A; 469W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 469W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 162nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 34ns |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 200A; 469W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 469W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 162nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 34ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0021120K | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |