Продукція > WOLFSPEED, INC. > C3M0021120K
C3M0021120K

C3M0021120K Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_C3M0021120K_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1948.89 грн
30+1437.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0021120K Wolfspeed, Inc.

Description: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 469W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції C3M0021120K за ціною від 1649.12 грн до 2981.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0021120K C3M0021120K Wolfspeed(CREE) C3M0021120K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 200A; 469W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 34ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2430.47 грн
2+2178.10 грн
5+2086.89 грн
10+1800.02 грн
30+1649.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K C3M0021120K WOLFSPEED Wolfspeed_C3M0021120K_data_sheet.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2981.39 грн
5+2608.51 грн
10+2161.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K C3M0021120K Wolfspeed Wolfspeed_C3M0021120K_data_sheet.pdf SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K C3M0021120K.pdf
C3M0021120K
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 200A; 469W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 34ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2430.47 грн
2+2178.10 грн
5+2086.89 грн
10+1800.02 грн
30+1649.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K Wolfspeed_C3M0021120K_data_sheet.pdf
C3M0021120K
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2981.39 грн
5+2608.51 грн
10+2161.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K Wolfspeed_C3M0021120K_data_sheet.pdf
C3M0021120K
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.