C3M0032120D Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0032120D Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції C3M0032120D за ціною від 1370.46 грн до 2664.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0032120D | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0032120D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| C3M0032120D | Виробник : CREE |
1200V, 32 MOHM, G3 SIC MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |