C3M0032120J1 Wolfspeed
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1002.79 грн |
| 10+ | 611.29 грн |
| 100+ | 530.80 грн |
| 500+ | 527.03 грн |
| 1000+ | 493.10 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0032120J1 Wolfspeed
Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V, Power Dissipation (Max): 277W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0032120J1 за ціною від 822.57 грн до 3961.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0032120J1 | Wolfspeed, Inc. |
 Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0032120J1 | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube |
на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0032120J1 | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube |
на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| C3M0032120J1 | Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| C3M0032120J1 | Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| C3M0032120J1 |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1525.21 грн |
| 50+ | 879.17 грн |
| 100+ | 822.57 грн |
| C3M0032120J1 |
|
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2547.30 грн |
| 10+ | 2441.61 грн |
| 25+ | 2391.70 грн |
| 50+ | 2224.18 грн |
| 100+ | 1965.94 грн |
| C3M0032120J1 |
|
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2547.30 грн |
| 10+ | 2441.61 грн |
| 25+ | 2391.70 грн |
| 50+ | 2224.18 грн |
| 100+ | 1965.94 грн |
| C3M0032120J1 |
|
Виробник: Wolfspeed
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2801.73 грн |
| 10+ | 2541.42 грн |
| 25+ | 2485.64 грн |
| 50+ | 2348.74 грн |
| 100+ | 1955.45 грн |
| 500+ | 1822.71 грн |
| C3M0032120J1 |
|
Виробник: Wolfspeed
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 3961.49 грн |