Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > C3M0040120D

C3M0040120D

Wolfspeed_C3M0040120D_data_sheet.pdf
Код товару: 198825
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C3M0040120D за ціною від 523.94 грн до 1729.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0040120D C3M0040120D Wolfspeed(CREE) C3M0040120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 75ns
Gate charge: 101nC
On-state resistance: 68mΩ
Drain current: 48A
Power dissipation: 326W
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+859.86 грн
5+763.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D C3M0040120D Wolfspeed wolfspeed_c3m0040120d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1035.40 грн
10+662.01 грн
25+655.41 грн
100+551.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D C3M0040120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0040120D_data_sheet.pdf Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.21 грн
30+678.95 грн
120+586.69 грн
510+523.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D C3M0040120D WOLFSPEED 3993864.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1729.36 грн
5+1513.19 грн
10+1253.63 грн
50+1043.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D C3M0040120D Wolfspeed Wolfspeed_C3M0040120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D C3M0040120D.pdf
C3M0040120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 75ns
Gate charge: 101nC
On-state resistance: 68mΩ
Drain current: 48A
Power dissipation: 326W
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+859.86 грн
5+763.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D wolfspeed_c3m0040120d_data_sheet.pdf
C3M0040120D
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1035.40 грн
10+662.01 грн
25+655.41 грн
100+551.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D Wolfspeed_C3M0040120D_data_sheet.pdf
C3M0040120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1142.21 грн
30+678.95 грн
120+586.69 грн
510+523.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D 3993864.pdf
C3M0040120D
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1729.36 грн
5+1513.19 грн
10+1253.63 грн
50+1043.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D Wolfspeed_C3M0040120D_data_sheet.pdf
C3M0040120D
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.