Інші пропозиції C3M0040120D за ціною від 402.68 грн до 1734.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 101nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 75ns |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
C3M0040120D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C3M Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| C3M0040120D | Виробник : CREE |
N-Channel 1200 V 66A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-247-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |