
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 1287.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0040120D Wolfspeed
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0040120D за ціною від 1224.65 грн до 2114.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0040120D | Виробник : WOLFSPEED |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C3M Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
C3M0040120D Код товару: 198825
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W Case: TO247-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 75ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 326W Polarisation: unipolar Gate charge: 101nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 223A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W Case: TO247-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 75ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 326W Polarisation: unipolar Gate charge: 101nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 223A |
товару немає в наявності |