Технічний опис C3M0040120K Wolfspeed
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0040120K за ціною від 1015.97 грн до 2327.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 326W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 30ns |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 199626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 42750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 42750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 152800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V |
на замовлення 1791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 152800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| C3M0040120K | Виробник : Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|