Продукція > WOLFSPEED > C3M0040120K
C3M0040120K

C3M0040120K Wolfspeed

c3m0040120k.pdf Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1329.59 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0040120K Wolfspeed

Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції C3M0040120K за ціною від 949.89 грн до 2189.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0040120K C3M0040120K Виробник : Wolfspeed c3m0040120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+1329.89 грн
1800+1320.85 грн
4500+1307.29 грн
9000+1248.25 грн
18000+1143.68 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K C3M0040120K Виробник : Wolfspeed c3m0040120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1338.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K C3M0040120K Виробник : Wolfspeed c3m0040120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1431.87 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K C3M0040120K Виробник : Wolfspeed c3m0040120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+1432.19 грн
1800+1422.45 грн
4500+1407.85 грн
9000+1344.27 грн
18000+1231.65 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K C3M0040120K Виробник : Wolfspeed c3m0040120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1590.60 грн
10+1476.07 грн
25+1389.42 грн
50+1318.00 грн
100+1044.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K C3M0040120K Виробник : Wolfspeed c3m0040120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+1712.95 грн
10+1589.61 грн
25+1496.30 грн
50+1419.38 грн
100+1125.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K C3M0040120K Виробник : Wolfspeed c3m0040120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1739.03 грн
10+1588.34 грн
25+1476.07 грн
50+1396.47 грн
100+1077.07 грн
1000+1024.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K C3M0040120K Виробник : Wolfspeed c3m0040120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+1872.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K C3M0040120K Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0040120K_data_sheet.pdf Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2028.37 грн
30+1264.04 грн
120+1207.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K C3M0040120K Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0040120K_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2122.44 грн
10+1948.59 грн
30+1505.02 грн
60+1476.72 грн
120+1378.76 грн
270+1334.49 грн
510+1216.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K Виробник : Wolfspeed c3m0040120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+949.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K Виробник : Wolfspeed c3m0040120k.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+2189.87 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0040120K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0040120K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.