C3M0040120K Wolfspeed
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 995.34 грн |
| 10+ | 633.85 грн |
| 120+ | 512.33 грн |
| 510+ | 461.75 грн |
| 1020+ | 445.63 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0040120K Wolfspeed
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0040120K за ціною від 445.34 грн до 2567.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C3M0040120K | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Case: TO247-4 Power dissipation: 326W Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 68mΩ Reverse recovery time: 30ns Pulsed drain current: 223A Gate charge: 99nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 48A |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0040120K | Wolfspeed, Inc. |
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0040120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 199626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0040120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0040120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0040120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 42750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0040120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 42750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0040120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0040120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0040120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 152800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0040120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 152800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| C3M0040120K | Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Power dissipation: 326W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Pulsed drain current: 223A
Gate charge: 99nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Power dissipation: 326W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Pulsed drain current: 223A
Gate charge: 99nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1001.18 грн |
| 2+ | 883.35 грн |
| 5+ | 822.97 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1024.26 грн |
| 30+ | 602.34 грн |
| 60+ | 556.65 грн |
| 120+ | 486.35 грн |
| 510+ | 445.34 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1569.64 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1678.66 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1678.66 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 1679.04 грн |
| 1800+ | 1667.63 грн |
| 4500+ | 1650.51 грн |
| 9000+ | 1575.96 грн |
| 18000+ | 1443.94 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 1679.04 грн |
| 1800+ | 1667.63 грн |
| 4500+ | 1650.51 грн |
| 9000+ | 1575.96 грн |
| 18000+ | 1443.94 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2008.19 грн |
| 10+ | 1863.60 грн |
| 25+ | 1754.20 грн |
| 50+ | 1664.03 грн |
| 100+ | 1319.08 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2008.19 грн |
| 10+ | 1863.60 грн |
| 25+ | 1754.20 грн |
| 50+ | 1664.03 грн |
| 100+ | 1319.08 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2195.60 грн |
| 10+ | 2005.34 грн |
| 25+ | 1863.60 грн |
| 50+ | 1763.10 грн |
| 100+ | 1359.85 грн |
| 1000+ | 1294.04 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2195.60 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 2567.31 грн |






