C3M0045065D Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1491.70 грн |
| 30+ | 896.92 грн |
| 120+ | 825.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0045065D Wolfspeed, Inc.
Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V.
Інші пропозиції C3M0045065D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
C3M0045065D | Wolfspeed |
SiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C3M0045065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



