на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 200.96 грн |
| 100+ | 198.99 грн |
| 250+ | 196.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0060065J Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V.
Інші пропозиції C3M0060065J за ціною від 186.59 грн до 1233.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube |
на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V |
на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60m ohm, 650V, TO-263-7, Industrial |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
C3M0060065J |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 46nC On-state resistance: 80mΩ Drain current: 26A Pulsed drain current: 99A Power dissipation: 136W Drain-source voltage: 650V Technology: C3M™; SiC |
товару немає в наявності |