на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 549.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0060065K Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V.
Інші пропозиції C3M0060065K за ціною від 496.05 грн до 1375.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 m ohm, 650V, TO-247-4, Industrial |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A Automotive Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 46nC On-state resistance: 80mΩ Drain current: 27A Pulsed drain current: 99A Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 650V Technology: C3M™; SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| C3M0060065K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 46nC On-state resistance: 80mΩ Drain current: 27A Pulsed drain current: 99A Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 650V Technology: C3M™; SiC |
товару немає в наявності |