C3M0065090D


Wolfspeed_C3M0065090D_data_sheet.pdf
Код товару: 182273
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C3M0065090D за ціною від 669.31 грн до 1652.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+916.34 грн
18+809.09 грн
50+807.21 грн
100+757.51 грн
200+698.88 грн
1800+669.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed(CREE) C3M0065090D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-3
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Power dissipation: 125W
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1270.44 грн
5+1021.68 грн
10+906.69 грн
30+767.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0065090D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1445.85 грн
30+874.30 грн
120+761.09 грн
510+688.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+1652.61 грн
10+1533.13 грн
25+1097.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1652.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D C3M0065090D WOLFSPEED CREE-S-A0008511199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+916.34 грн
18+809.09 грн
50+807.21 грн
100+757.51 грн
200+698.88 грн
1800+669.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D C3M0065090D.pdf
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-3
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Power dissipation: 125W
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1270.44 грн
5+1021.68 грн
10+906.69 грн
30+767.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D Wolfspeed_C3M0065090D_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1445.85 грн
30+874.30 грн
120+761.09 грн
510+688.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+1652.61 грн
10+1533.13 грн
25+1097.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1652.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D CREE-S-A0008511199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.