Інші пропозиції C3M0065090D за ціною від 668.36 грн до 1659.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C3M0065090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0065090D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 125W Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 900V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 78mΩ Reverse recovery time: 30ns Gate charge: 30.4nC Polarisation: unipolar Drain current: 36A |
на замовлення 530 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0065090D | Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0065090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0065090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0065090D | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 920.43 грн |
| 18+ | 812.70 грн |
| 50+ | 810.81 грн |
| 100+ | 760.89 грн |
| 200+ | 702.00 грн |
| 1800+ | 672.30 грн |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 36A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 36A
на замовлення 530 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 984.82 грн |
| 5+ | 819.99 грн |
| 10+ | 756.72 грн |
| 30+ | 730.43 грн |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1402.20 грн |
| 30+ | 848.12 грн |
| 60+ | 788.46 грн |
| 120+ | 692.87 грн |
| 510+ | 668.36 грн |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 1659.99 грн |
| 10+ | 1539.97 грн |
| 25+ | 1102.34 грн |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1659.99 грн |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






