Інші пропозиції C3M0065090D за ціною від 669.31 грн до 1652.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C3M0065090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0065090D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -8...19V Case: TO247-3 On-state resistance: 78mΩ Reverse recovery time: 30ns Power dissipation: 125W Gate charge: 30.4nC Polarisation: unipolar Technology: C3M™; SiC Drain current: 36A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 900V |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0065090D | Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): +18V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0065090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0065090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
C3M0065090D | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 916.34 грн |
| 18+ | 809.09 грн |
| 50+ | 807.21 грн |
| 100+ | 757.51 грн |
| 200+ | 698.88 грн |
| 1800+ | 669.31 грн |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-3
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Power dissipation: 125W
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-3
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Power dissipation: 125W
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1270.44 грн |
| 5+ | 1021.68 грн |
| 10+ | 906.69 грн |
| 30+ | 767.71 грн |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1445.85 грн |
| 30+ | 874.30 грн |
| 120+ | 761.09 грн |
| 510+ | 688.99 грн |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 1652.61 грн |
| 10+ | 1533.13 грн |
| 25+ | 1097.44 грн |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1652.61 грн |
| C3M0065090D |
![]() |
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






