Інші пропозиції C3M0065090D за ціною від 688.26 грн до 1448.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065090D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns Mounting: THT Gate-source voltage: -8...19V Reverse recovery time: 30ns Gate charge: 30.4nC On-state resistance: 78mΩ Power dissipation: 125W Drain current: 36A Drain-source voltage: 900V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Case: TO247-3 Polarisation: unipolar |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0065090D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): +18V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0065090D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| C3M0065090D | Виробник : CREE |
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
C3M0065090D | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm |
товару немає в наявності |