Продукція > WOLFSPEED, INC. > C3M0065090J-TR
C3M0065090J-TR

C3M0065090J-TR Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+811.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0065090J-TR Wolfspeed, Inc.

Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V.

Інші пропозиції C3M0065090J-TR за ціною від 601.21 грн до 1512.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0065090J-TR C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1223.39 грн
10+939.25 грн
100+781.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TR C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1512.95 грн
10+1320.85 грн
25+1132.42 грн
50+1101.60 грн
100+1009.12 грн
250+993.71 грн
500+924.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed c3m0065090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+897.32 грн
10+783.24 грн
25+778.50 грн
100+684.86 грн
250+630.23 грн
500+601.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed c3m0065090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+966.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed c3m0065090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1298.30 грн
11+1119.79 грн
12+1030.53 грн
50+978.08 грн
100+731.74 грн
200+690.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed c3m0065090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed c3m0065090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TR C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7BE615288B5274A&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=07eabd01493bcf13c325a05201d18b1419128c7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TR C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7BE615288B5274A&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=07eabd01493bcf13c325a05201d18b1419128c7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.