Продукція > WOLFSPEED > C3M0065090J-TR
C3M0065090J-TR

C3M0065090J-TR Wolfspeed

Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1436.30 грн
10+1253.93 грн
25+1075.05 грн
50+1045.78 грн
100+958.00 грн
250+943.36 грн
500+877.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0065090J-TR Wolfspeed

Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7, Vgs (Max): +19V, -8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Power Dissipation (Max): 113W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V.

Інші пропозиції C3M0065090J-TR за ціною від 927.60 грн до 1453.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0065090J-TR C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1453.19 грн
10+1003.79 грн
100+927.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TR C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TR C3M0065090J-TR Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0065090J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 30.4nC
Reverse recovery time: 16ns
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.