C3M0065090J Wolfspeed(CREE)
Виробник: Wolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1016.75 грн |
| 3+ | 892.78 грн |
| 10+ | 882.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0065090J Wolfspeed(CREE)
Description: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції C3M0065090J за ціною від 594.01 грн до 1350.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065090J | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0065090J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V |
на замовлення 2664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0065090J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 30.4nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Mounting: SMD Case: D2PAK-7 Reverse recovery time: 16ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 35A On-state resistance: 78mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0065090J | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm |
на замовлення 14985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| C3M0065090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| C3M0065090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| C3M0065090J | Виробник : CREE |
N-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| C3M0065090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
C3M0065090J Код товару: 148769
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
| C3M0065090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| C3M0065090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |