C3M0065090J
Код товару: 148769
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції C3M0065090J за ціною від 783.81 грн до 1233.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065090J | Виробник : CREE |
N-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0065090J | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm |
на замовлення 14985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0065090J | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
C3M0065090J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
C3M0065090J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Case: D2PAK-7 Technology: C3M™; SiC Mounting: SMD Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 30.4nC Reverse recovery time: 16ns On-state resistance: 78mΩ Drain current: 35A Drain-source voltage: 900V Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |