Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > C3M0065090J

C3M0065090J

Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf
Код товару: 148769
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C3M0065090J за ціною від 711.96 грн до 1482.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0065090J C3M0065090J CREE info-tc3m0065090j.pdf N-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+1058.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed(CREE) C3M0065090J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 16ns
Power dissipation: 113W
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1073.55 грн
10+890.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1482.96 грн
50+851.69 грн
100+796.39 грн
500+711.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed 1C87CE78054270FE39941AA3292614EF79BC438A889AFDE2F9A9988076012689.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J Wolfspeed 18696.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1085.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J Wolfspeed 18696.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1085.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J info-tc3m0065090j.pdf
C3M0065090J
Виробник: CREE
N-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1058.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J C3M0065090J.pdf
C3M0065090J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 16ns
Power dissipation: 113W
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1073.55 грн
10+890.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf
C3M0065090J
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1482.96 грн
50+851.69 грн
100+796.39 грн
500+711.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J 1C87CE78054270FE39941AA3292614EF79BC438A889AFDE2F9A9988076012689.pdf
C3M0065090J
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J 18696.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1085.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J 18696.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1085.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.