C3M0065090J
Код товару: 148769
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції C3M0065090J за ціною від 891.30 грн до 1074.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
C3M0065090J | CREE |
N-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090Jкількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
C3M0065090J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 35A Power dissipation: 113W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.4nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 16ns Technology: C3M™; SiC |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
|
C3M0065090J | Wolfspeed |
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm |
на замовлення 14985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C3M0065090J |
![]() |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1061.36 грн |
| C3M0065090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
Technology: C3M™; SiC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1074.16 грн |
| 10+ | 891.30 грн |
| C3M0065090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



