Продукція > WOLFSPEED(CREE) > C3M0065090J
C3M0065090J

C3M0065090J Wolfspeed(CREE)

C3M0065090J.pdf Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1010.97 грн
3+887.42 грн
10+885.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0065090J Wolfspeed(CREE)

Description: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції C3M0065090J за ціною від 594.01 грн до 1350.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0065090J C3M0065090J Виробник : WOLFSPEED CREE-S-A0008511198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1084.42 грн
5+1080.30 грн
10+1076.17 грн
50+849.87 грн
100+768.93 грн
250+753.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J C3M0065090J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0065090J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1213.17 грн
3+1105.86 грн
10+1063.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J C3M0065090J Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1216.00 грн
50+783.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J C3M0065090J Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1302.03 грн
10+1241.98 грн
25+1077.77 грн
50+838.68 грн
100+827.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J Виробник : Wolfspeed c3m0065090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+863.53 грн
10+850.24 грн
25+738.23 грн
100+704.73 грн
500+649.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J Виробник : Wolfspeed c3m0065090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+929.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J Виробник : CREE Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf N-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+941.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J Виробник : Wolfspeed c3m0065090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1350.24 грн
12+1057.42 грн
14+878.47 грн
50+735.72 грн
100+660.16 грн
200+594.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J
Код товару: 148769
Додати до обраних Обраний товар

Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J Виробник : Wolfspeed c3m0065090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J Виробник : Wolfspeed c3m0065090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.