на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1175.52 грн |
| 25+ | 1157.94 грн |
| 50+ | 912.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0065100J Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.5W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції C3M0065100J за ціною від 799.3 грн до 1490.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065100J | Виробник : WOLFSPEED |
 Description: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113.5W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V |
на замовлення 2206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 35A Power dissipation: 113.5W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 14ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 35A Power dissipation: 113.5W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 14ns |
товар відсутній |