Продукція > WOLFSPEED > C3M0065100J
C3M0065100J

C3M0065100J Wolfspeed

Wolfspeed_C3M0065100J_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1439.08 грн
10+1350.81 грн
25+1142.16 грн
50+997.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0065100J Wolfspeed

Description: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.5W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції C3M0065100J за ціною від 890.39 грн до 1797.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0065100J C3M0065100J Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0065100J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1447.01 грн
50+1025.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J C3M0065100J Виробник : Wolfspeed c3m0065100j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1472.00 грн
10+1325.37 грн
25+1294.92 грн
50+1218.36 грн
100+1003.67 грн
500+890.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J C3M0065100J Виробник : Wolfspeed c3m0065100j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1577.15 грн
10+1420.04 грн
25+1387.42 грн
50+1305.39 грн
100+1075.37 грн
500+953.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J C3M0065100J Виробник : WOLFSPEED Wolfspeed_C3M0065100J_data_sheet.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1797.84 грн
5+1750.42 грн
10+1702.15 грн
50+1051.35 грн
100+945.80 грн
250+926.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J Виробник : Wolfspeed c3m0065100j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.