C3M0065100K Wolfspeed
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1097.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0065100K Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V.
Інші пропозиції C3M0065100K за ціною від 736.37 грн до 1540.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065100K | Виробник : WOLFSPEED |
 Description: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113.5W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V |
на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0065100K | Виробник : MACOM | MOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4 |
на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 2728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
C3M0065100K Код товару: 126113 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns Reverse recovery time: 14ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 35A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 35nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed | MOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns Reverse recovery time: 14ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 35A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 35nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Mounting: THT Case: TO247-4 |
товар відсутній |