Продукція > WOLFSPEED, INC. > C3M0075120D
C3M0075120D

C3M0075120D Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_C3M0075120D_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+626.13 грн
30+353.11 грн
120+298.25 грн
510+242.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0075120D Wolfspeed, Inc.

Description: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції C3M0075120D за ціною від 712.92 грн до 1196.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0075120D C3M0075120D WOLFSPEED 2786833.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+932.19 грн
5+912.10 грн
10+892.00 грн
50+809.64 грн
100+730.14 грн
250+712.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D C3M0075120D Wolfspeed(CREE) c3m0075120d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 0.105Ω
Drain current: 19.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 113.6W
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1196.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D C3M0075120D MACOM Wolfspeed_C3M0075120D_data_sheet.pdf MOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D C3M0075120D Wolfspeed Wolfspeed_C3M0075120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D 2786833.pdf
C3M0075120D
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+932.19 грн
5+912.10 грн
10+892.00 грн
50+809.64 грн
100+730.14 грн
250+712.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D c3m0075120d.pdf
C3M0075120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 0.105Ω
Drain current: 19.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 113.6W
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1196.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D Wolfspeed_C3M0075120D_data_sheet.pdf
C3M0075120D
Виробник: MACOM
MOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D Wolfspeed_C3M0075120D_data_sheet.pdf
C3M0075120D
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.