на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 450+ | 491.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0075120D Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції C3M0075120D за ціною від 526.99 грн до 1812.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0075120D | Виробник : MACOM |
MOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0075120D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
C3M0075120D THT N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V |
товару немає в наявності |