C3M0075120D Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 633.32 грн |
| 30+ | 357.16 грн |
| 120+ | 301.68 грн |
| 510+ | 244.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0075120D Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції C3M0075120D за ціною від 721.11 грн до 1486.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0075120D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W Mounting: THT Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 54nC On-state resistance: 0.105Ω Power dissipation: 113.6W Drain current: 19.7A Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Case: TO247-3 Polarisation: unipolar |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0075120D | Виробник : MACOM |
MOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|