C3M0075120J-TR

C3M0075120J-TR Wolfspeed, Inc.


Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+871.60 грн
10+584.66 грн
100+479.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0075120J-TR Wolfspeed, Inc.

Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції C3M0075120J-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0075120J-TR C3M0075120J-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TR C3M0075120J-TR Виробник : Wolfspeed C3M0075120J-2935347.pdf MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.