C3M0075120J-TR Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1428.48 грн |
| 10+ | 986.27 грн |
| 100+ | 781.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0075120J-TR Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0075120J-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| C3M0075120J-TR | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||
| C3M0075120J-TR | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||
| C3M0075120J-TR | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||
|
|
C3M0075120J-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|
 |
C3M0075120J-TR | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm |
товару немає в наявності |