C3M0075120J Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 646.27 грн |
| 50+ | 341.00 грн |
| 100+ | 313.96 грн |
| 500+ | 250.22 грн |
| 1000+ | 241.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0075120J Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції C3M0075120J за ціною від 537.35 грн до 1602.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C3M0075120J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Power dissipation: 113.6W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 18ns |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
C3M0075120J | MACOM |
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7 |
на замовлення 3558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
C3M0075120J | Wolfspeed |
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7 |
на замовлення 3363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
C3M0075120J | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| C3M0075120J | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| C3M0075120J | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| C3M0075120J | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| C3M0075120J | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| C3M0075120J | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| C3M0075120J | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1204.52 грн |
| 5+ | 990.80 грн |
| 10+ | 919.49 грн |
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: MACOM
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 574.32 грн |
| 2000+ | 568.57 грн |
| 3000+ | 562.82 грн |
| 5000+ | 537.35 грн |
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 574.32 грн |
| 2000+ | 568.57 грн |
| 3000+ | 562.82 грн |
| 5000+ | 537.35 грн |
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 1129.31 грн |
| 100+ | 1077.36 грн |
| 250+ | 1066.51 грн |
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 1129.31 грн |
| 100+ | 1077.36 грн |
| 250+ | 1066.51 грн |
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1602.93 грн |
| 11+ | 1338.92 грн |
| 12+ | 1272.92 грн |
| 50+ | 723.74 грн |
| 100+ | 668.45 грн |
| 200+ | 640.09 грн |
| 1000+ | 573.82 грн |
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





