Продукція > WOLFSPEED, INC. > C3M0075120J
C3M0075120J

C3M0075120J Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+626.13 грн
50+330.64 грн
100+304.43 грн
500+242.63 грн
1000+234.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0075120J Wolfspeed, Inc.

Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції C3M0075120J за ціною від 765.26 грн до 1594.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0075120J C3M0075120J Wolfspeed(CREE) C3M0075120J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1200.05 грн
5+986.65 грн
10+915.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J C3M0075120J WOLFSPEED 2329403.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1594.36 грн
5+1395.06 грн
10+1155.59 грн
50+962.61 грн
100+819.68 грн
250+765.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J C3M0075120J MACOM Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J C3M0075120J Wolfspeed Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J C3M0075120J.pdf
C3M0075120J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1200.05 грн
5+986.65 грн
10+915.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J 2329403.pdf
C3M0075120J
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1594.36 грн
5+1395.06 грн
10+1155.59 грн
50+962.61 грн
100+819.68 грн
250+765.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf
C3M0075120J
Виробник: MACOM
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf
C3M0075120J
Виробник: Wolfspeed
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.