Продукція > WOLFSPEED > C3M0075120J2-TR
C3M0075120J2-TR

C3M0075120J2-TR Wolfspeed

wolfspeedc3m0075120j2datasheet.pdf Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+524.64 грн
25+516.47 грн
50+490.07 грн
100+446.47 грн
250+421.54 грн
500+414.47 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0075120J2-TR Wolfspeed

Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції C3M0075120J2-TR за ціною від 444.07 грн до 1111.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0075120J2-TR C3M0075120J2-TR Виробник : Wolfspeed wolfspeedc3m0075120j2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+570.95 грн
10+562.11 грн
25+553.36 грн
50+525.07 грн
100+478.36 грн
250+451.65 грн
500+444.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TR C3M0075120J2-TR Виробник : Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1044.53 грн
10+902.86 грн
100+679.41 грн
250+658.27 грн
800+657.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1111.39 грн
10+743.10 грн
25+657.89 грн
100+526.95 грн
250+517.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TR C3M0075120J2-TR Виробник : Wolfspeed wolfspeedc3m0075120j2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.