Інші пропозиції C3M0075120K Wolfspeed за ціною від 285.98 грн до 963.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C3M0075120K | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Power dissipation: 113.6W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 18ns |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0075120K | Wolfspeed |
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm |
на замовлення 69 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0075120K | Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4LPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V |
на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0075120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0075120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0075120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0075120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0075120K | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5VtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 119W SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 4224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
C3M0075120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
C3M0075120K | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| C3M0075120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 673.60 грн |
| 2+ | 610.96 грн |
| 5+ | 568.24 грн |
| C3M0075120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 69 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 735.00 грн |
| 10+ | 394.47 грн |
| 120+ | 316.52 грн |
| 510+ | 293.04 грн |
| C3M0075120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 735.53 грн |
| 30+ | 415.98 грн |
| 60+ | 381.11 грн |
| 120+ | 330.12 грн |
| 510+ | 285.98 грн |
| C3M0075120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 936.59 грн |
| C3M0075120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 941.92 грн |
| C3M0075120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 941.92 грн |
| C3M0075120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 963.52 грн |
| 10+ | 697.02 грн |
| C3M0075120K |
![]() |
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| C3M0075120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| C3M0075120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







