C3M0075120K Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 652.13 грн |
| 30+ | 368.76 грн |
| 120+ | 311.83 грн |
| 510+ | 253.52 грн |
| 1020+ | 246.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0075120K Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції C3M0075120K за ціною від 431.06 грн до 1517.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0075120K | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 4236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0075120K | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0075120K | Виробник : MACOM |
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| C3M0075120K | Виробник : CREE |
MOSFET N-CH 1200V 30A TO247-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |