C3M0120065D
Код товару: 178862
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції C3M0120065D за ціною від 359.15 грн до 631.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0120065D | Wolfspeed, Inc. |
Description: 650V 120M SIC MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
C3M0120065D | Wolfspeed |
MOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C3M0120065D |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 631.55 грн |
| 10+ | 472.72 грн |
| 30+ | 433.17 грн |
| 120+ | 373.34 грн |
| 270+ | 359.15 грн |
| C3M0120065D |
|
Виробник: Wolfspeed
MOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
MOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)