C3M0120065J-TR Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 350.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0120065J-TR Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V.
Інші пропозиції C3M0120065J-TR за ціною від 413.05 грн до 788.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
C3M0120065J-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
C3M0120065J-TR | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3 |
товару немає в наявності |