Інші пропозиції C3M0120090D за ціною від 504.15 грн до 1221.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C3M0120090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
C3M0120090D | CREE |
N-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090Dкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
C3M0120090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
C3M0120090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
C3M0120090D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -8...19V Case: TO247-3 On-state resistance: 0.12Ω Reverse recovery time: 24ns Power dissipation: 97W Gate charge: 17.3nC Polarisation: unipolar Technology: C3M™; SiC Drain current: 23A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 900V |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
C3M0120090D | Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
C3M0120090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
C3M0120090D | Wolfspeed |
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
C3M0120090D | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 97W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
C3M0120090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 179 шт В кошику од. на суму грн. |
| C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 179+ | 559.16 грн |
| C3M0120090D |
![]() |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 572.00 грн |
| C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 671.80 грн |
| 300+ | 665.09 грн |
| C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 671.80 грн |
| 300+ | 665.09 грн |
| C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Reverse recovery time: 24ns
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Reverse recovery time: 24ns
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 676.16 грн |
| C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 999.23 грн |
| 30+ | 586.49 грн |
| 120+ | 504.15 грн |
| C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1221.03 грн |
| 10+ | 820.73 грн |
| 25+ | 784.44 грн |
| 100+ | 654.37 грн |
| C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| C3M0120090D |
![]() |
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 97W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 97W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







