Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > C3M0120090D

C3M0120090D

Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf
Код товару: 165992
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C3M0120090D за ціною від 487.01 грн до 1150.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : CREE info-tc3m0120090d.pdf N-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+582.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+852.67 грн
10+744.35 грн
30+574.80 грн
120+555.99 грн
270+507.22 грн
510+487.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+997.01 грн
30+585.18 грн
120+503.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : WOLFSPEED CREE-S-A0011471795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1150.18 грн
5+925.83 грн
10+701.49 грн
50+638.55 грн
100+576.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.