Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > C3M0120090D

C3M0120090D

Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf
Код товару: 165992
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C3M0120090D за ціною від 555.43 грн до 1212.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+555.43 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D CREE info-tc3m0120090d.pdf N-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+568.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed(CREE) C3M0120090D-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 24ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+672.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1212.89 грн
10+1043.83 грн
25+779.21 грн
100+653.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed 12BFAF87056F065A925AD3C520A30B7A9AF97A8D830682923A90517BEA16F402.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D WOLFSPEED CREE-S-A0011471795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 97W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf
C3M0120090D
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
179+555.43 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D info-tc3m0120090d.pdf
C3M0120090D
Виробник: CREE
N-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+568.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D-DTE.pdf
C3M0120090D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 24ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+672.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf
C3M0120090D
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1212.89 грн
10+1043.83 грн
25+779.21 грн
100+653.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D 12BFAF87056F065A925AD3C520A30B7A9AF97A8D830682923A90517BEA16F402.pdf
C3M0120090D
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D CREE-S-A0011471795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
C3M0120090D
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 97W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf
C3M0120090D
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.