Продукція > WOLFSPEED > C3M0120090J
C3M0120090J

C3M0120090J Wolfspeed

c3m0120090j.pdf Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+598.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0120090J Wolfspeed

Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V.

Інші пропозиції C3M0120090J за ціною від 439.29 грн до 1107.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed c3m0120090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+613.57 грн
22+593.32 грн
25+587.37 грн
50+476.90 грн
100+439.29 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed c3m0120090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+657.39 грн
10+635.70 грн
25+629.32 грн
50+510.96 грн
100+470.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120090J-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+815.14 грн
3+664.25 грн
10+625.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120090J-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+978.17 грн
3+827.75 грн
10+750.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1039.70 грн
10+899.91 грн
50+758.13 грн
100+658.15 грн
250+648.70 грн
500+579.42 грн
1000+566.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1107.93 грн
50+614.19 грн
100+570.69 грн
500+490.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J Виробник : CREE Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf N-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+564.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J
Код товару: 126112
Додати до обраних Обраний товар

Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed c3m0120090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J Виробник : Wolfspeed c3m0120090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.