C3M0120090J


Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf
Код товару: 126112
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C3M0120090J за ціною від 445.37 грн до 1010.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : CREE info-tc3m0120090j.pdf N-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+580.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed c3m0120090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+606.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed c3m0120090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+622.05 грн
22+601.52 грн
25+595.49 грн
50+483.49 грн
100+445.37 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed c3m0120090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+666.48 грн
10+644.49 грн
25+638.02 грн
50+518.03 грн
100+477.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.18 грн
10+789.54 грн
50+665.14 грн
100+577.42 грн
250+569.13 грн
500+508.35 грн
1000+496.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120090J-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 24ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+949.07 грн
3+769.04 грн
10+687.56 грн
50+650.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1010.92 грн
50+560.41 грн
100+520.72 грн
500+447.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Виробник : Wolfspeed c3m0120090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.