C3M0120090J Wolfspeed
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 473.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0120090J Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V.
Інші пропозиції C3M0120090J за ціною від 379.53 грн до 980.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0120090J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V |
на замовлення 6437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0120090J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns Case: D2PAK-7 Reverse recovery time: 24ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 22A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 17.3nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Mounting: SMD |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0120090J | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0120090J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns Case: D2PAK-7 Reverse recovery time: 24ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 22A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 17.3nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3M0120090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3M0120090J | Виробник : CREE |
N-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
C3M0120090J Код товару: 126112 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
C3M0120090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
C3M0120090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
товар відсутній |