Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > C3M0120090J

C3M0120090J

Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf
Код товару: 126112
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C3M0120090J за ціною від 446.51 грн до 1008.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0120090J C3M0120090J CREE info-tc3m0120090j.pdf N-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+581.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1008.15 грн
50+558.88 грн
100+519.29 грн
500+446.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J info-tc3m0120090j.pdf
C3M0120090J
Виробник: CREE
N-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+581.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf
C3M0120090J
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1008.15 грн
50+558.88 грн
100+519.29 грн
500+446.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J Wolfspeed_C3M0120090J_data_sheet.pdf
C3M0120090J
Виробник: Wolfspeed
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.