Інші пропозиції C3M0120090J за ціною від 451.65 грн до 1019.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0120090J | Виробник : CREE |
 N-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090Jкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0120090J | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0120090J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V |
на замовлення 4242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0120090J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns Case: D2PAK-7 Technology: C3M™; SiC Mounting: SMD Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 17.3nC Reverse recovery time: 24ns On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 22A Drain-source voltage: 900V Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |