C3M0120100J Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1324.32 грн |
| 50+ | 750.68 грн |
| 100+ | 700.30 грн |
| 500+ | 655.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0120100J Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції C3M0120100J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
C3M0120100J | MACOM |
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7 |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
C3M0120100J | Wolfspeed |
SiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7 |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C3M0120100J |
![]() |
Виробник: MACOM
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| C3M0120100J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
SiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



