Продукція > MACOM > C3M0120100J

C3M0120100J MACOM


Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf
Виробник: MACOM
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1220.38 грн
10+1060.37 грн
25+914.64 грн
50+899.79 грн
100+795.85 грн
250+789.17 грн
500+721.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0120100J MACOM

Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V.

Інші пропозиції C3M0120100J за ціною від 608.67 грн до 1344.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0120100J C3M0120100J Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1315.44 грн
10+901.11 грн
50+745.31 грн
100+652.50 грн
500+608.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J C3M0120100J Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf SiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 338 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1344.24 грн
10+1171.36 грн
25+991.10 грн
50+932.45 грн
100+877.52 грн
250+850.05 грн
500+795.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1315.44 грн
10+901.11 грн
50+745.31 грн
100+652.50 грн
500+608.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 338 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1344.24 грн
10+1171.36 грн
25+991.10 грн
50+932.45 грн
100+877.52 грн
250+850.05 грн
500+795.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.