Продукція > MACOM > C3M0120100J
C3M0120100J

C3M0120100J MACOM

Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf Виробник: MACOM
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1206.42 грн
10+1048.24 грн
25+904.18 грн
50+889.50 грн
100+786.75 грн
250+780.15 грн
500+713.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0120100J MACOM

Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V.

Інші пропозиції C3M0120100J за ціною від 574.53 грн до 1356.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0120100J C3M0120100J Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf SiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1328.86 грн
10+1157.96 грн
25+979.77 грн
50+921.79 грн
100+867.48 грн
250+840.33 грн
500+786.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J C3M0120100J Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1356.76 грн
50+769.08 грн
100+717.46 грн
500+672.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J Виробник : Wolfspeed c3m0120100j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+574.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J C3M0120100J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120100J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J C3M0120100J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120100J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.