на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1033.54 грн |
| 10+ | 904.66 грн |
| 30+ | 767.6 грн |
| 60+ | 683.48 грн |
| 120+ | 657.85 грн |
| 270+ | 625.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0120100K MACOM
Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V.
Інші пропозиції C3M0120100K за ціною від 676.78 грн до 1189.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0120100K | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4LPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0120100K | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0120100K | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4 |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3M0120100K Код товару: 178240 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
C3M0120100K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| C3M0120100K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
C3M0120100K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 13.5A Power dissipation: 83W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...15V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 21.5nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 16ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
C3M0120100K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 13.5A Power dissipation: 83W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...15V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 21.5nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 16ns |
товар відсутній |