Інші пропозиції C3M0160120D за ціною від 185.20 грн до 579.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
 SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 38nC On-state resistance: 256mΩ Drain current: 12A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 97W Drain-source voltage: 1.2kV Technology: C3M™; SiC |
на замовлення 426 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|