Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > C3M0160120D

C3M0160120D

Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf
Код товару: 167206
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C3M0160120D за ціною від 183.10 грн до 573.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.64 грн
30+270.03 грн
120+226.42 грн
510+183.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed(CREE) C3M0160120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 256mΩ
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+573.24 грн
10+476.74 грн
30+409.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf
C3M0160120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+486.64 грн
30+270.03 грн
120+226.42 грн
510+183.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D.pdf
C3M0160120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 256mΩ
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+573.24 грн
10+476.74 грн
30+409.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf
C3M0160120D
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.