на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 404.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0160120D Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 97W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C3M Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції C3M0160120D за ціною від 314.93 грн до 720.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 35550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 35550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0160120D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 97W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C3M Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed | MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3 |
на замовлення 2552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
C3M0160120D Код товару: 167206 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 97W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 256mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 97W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 256mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |