Продукція > WOLFSPEED > C3M0160120D
C3M0160120D

C3M0160120D Wolfspeed

c3m0160120d.pdf Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+459.13 грн
4500+454.48 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0160120D Wolfspeed

Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції C3M0160120D за ціною від 356.87 грн до 877.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+463.62 грн
1800+458.99 грн
9000+442.60 грн
18000+409.81 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+464.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+473.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+481.06 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+503.24 грн
8550+462.06 грн
17100+432.19 грн
25650+395.16 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+579.23 грн
24+518.00 грн
28+441.52 грн
50+421.50 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE50A5768EC0C7&compId=C3M0160120D.pdf?ci_sign=edb9e9e6418ea9052476bb84a5c3b4cbb6ff69ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+584.09 грн
3+378.09 грн
7+356.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+602.41 грн
30+404.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D
Код товару: 167206
Додати до обраних Обраний товар

Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+620.61 грн
10+555.00 грн
25+473.05 грн
50+451.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+623.30 грн
10+573.61 грн
30+430.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE50A5768EC0C7&compId=C3M0160120D.pdf?ci_sign=edb9e9e6418ea9052476bb84a5c3b4cbb6ff69ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+700.91 грн
3+471.16 грн
7+428.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+774.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : WOLFSPEED 3993865.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+877.83 грн
5+780.48 грн
10+682.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+361.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.