Продукція > WOLFSPEED > C3M0160120D
C3M0160120D

C3M0160120D Wolfspeed

Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.60 грн
10+359.61 грн
120+263.54 грн
510+231.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0160120D Wolfspeed

Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції C3M0160120D за ціною від 181.49 грн до 826.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.37 грн
30+267.66 грн
120+224.44 грн
510+181.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+485.62 грн
4500+480.70 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+490.37 грн
1800+485.47 грн
9000+468.13 грн
18000+433.46 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+490.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+500.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+508.82 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+532.27 грн
8550+488.72 грн
17100+457.12 грн
25650+417.96 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0160120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.47 грн
10+465.16 грн
30+399.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+612.65 грн
24+547.88 грн
28+466.99 грн
50+445.82 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+656.41 грн
10+587.02 грн
25+500.35 грн
50+477.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0160120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+670.17 грн
10+579.66 грн
30+479.30 грн
510+434.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+818.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : WOLFSPEED 3993865.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+826.02 грн
5+734.42 грн
10+642.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D
Код товару: 167206
Додати до обраних Обраний товар

Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D C3M0160120D Виробник : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.