Інші пропозиції C3M0160120D за ціною від 187.17 грн до 895.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C3M0160120D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 35100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 35100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 35550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
C3M0160120D | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 97W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C3M Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 500.40 грн |
| 1800+ | 495.40 грн |
| 9000+ | 477.71 грн |
| 18000+ | 442.32 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 510.58 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 530.81 грн |
| 30+ | 294.73 грн |
| 120+ | 247.08 грн |
| 510+ | 199.12 грн |
| 1020+ | 187.17 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 530.95 грн |
| 4500+ | 525.57 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 536.60 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 556.31 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 581.96 грн |
| 8550+ | 534.34 грн |
| 17100+ | 499.79 грн |
| 25650+ | 456.98 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 669.84 грн |
| 10+ | 599.02 грн |
| 25+ | 510.58 грн |
| 50+ | 487.44 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 669.84 грн |
| 24+ | 599.02 грн |
| 28+ | 510.58 грн |
| 50+ | 487.44 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 895.39 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







