C3M0160120D Wolfspeed
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 408.65 грн |
| 10+ | 397.60 грн |
| 120+ | 291.39 грн |
| 510+ | 255.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0160120D Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0160120D за ціною від 361.97 грн до 878.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 35100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 35100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 35550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W Mounting: THT Technology: C3M™; SiC Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 38nC On-state resistance: 256mΩ Power dissipation: 97W Drain current: 12A Pulsed drain current: 34A Drain-source voltage: 1.2kV |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D Код товару: 167206
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V |
на замовлення 1897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W Mounting: THT Technology: C3M™; SiC Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 38nC On-state resistance: 256mΩ Power dissipation: 97W Drain current: 12A Pulsed drain current: 34A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 441 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 97W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C3M Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
C3M0160120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |





