C3M0160120J Wolfspeed


Wolfspeed_C3M0160120J_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 862 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+574.63 грн
10+305.12 грн
100+242.60 грн
500+219.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0160120J Wolfspeed

Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції C3M0160120J за ціною від 229.28 грн до 809.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0160120J C3M0160120J Wolfspeed c3m0160120j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+593.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J C3M0160120J Wolfspeed c3m0160120j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+593.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J C3M0160120J Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0160120J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.05 грн
50+319.36 грн
100+293.88 грн
500+233.95 грн
1000+229.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J C3M0160120J Wolfspeed c3m0160120j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+808.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J C3M0160120J Wolfspeed c3m0160120j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+808.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J C3M0160120J Wolfspeed c3m0160120j.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+809.18 грн
100+678.66 грн
250+676.37 грн
500+578.65 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J c3m0160120j.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+593.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J c3m0160120j.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+593.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J Wolfspeed_C3M0160120J_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+606.05 грн
50+319.36 грн
100+293.88 грн
500+233.95 грн
1000+229.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J c3m0160120j.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+808.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J c3m0160120j.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+808.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J c3m0160120j.pdf
Виробник: Wolfspeed
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+809.18 грн
100+678.66 грн
250+676.37 грн
500+578.65 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.