C3M0160120J Wolfspeed
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 510.47 грн |
| 10+ | 270.82 грн |
| 100+ | 215.98 грн |
| 500+ | 208.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0160120J Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA.
Інші пропозиції C3M0160120J за ціною від 232.48 грн до 614.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0160120J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +15V, -4V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| C3M0160120J | Виробник : CREE |
N-Channel 1200V 17A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263-7 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| C3M0160120J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W Case: D2PAK-7 Technology: C3M™; SiC Mounting: SMD Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 24nC On-state resistance: 256mΩ Drain current: 12A Pulsed drain current: 34A Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |