Продукція > WOLFSPEED, INC. > C3M0280090D
C3M0280090D

C3M0280090D Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 8306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+426.11 грн
30+263.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0280090D Wolfspeed, Inc.

Description: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C2M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції C3M0280090D за ціною від 298.28 грн до 549.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0280090D C3M0280090D Виробник : WOLFSPEED Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+549.51 грн
5+525.05 грн
10+500.59 грн
50+298.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090D C3M0280090D Виробник : Wolfspeed wolfspeed_c3m0280090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090D C3M0280090D Виробник : Wolfspeed wolfspeed_c3m0280090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090D
Код товару: 123313
Додати до обраних Обраний товар

Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090D C3M0280090D Виробник : Wolfspeed 31668B0F79CD0CFCA499FC39DEA9E1A1624D7D9B0DF4C4109BBC7A8205A71C33.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.