C3M0280090J-TR

C3M0280090J-TR Wolfspeed, Inc.


Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+323.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0280090J-TR Wolfspeed, Inc.

Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V.

Інші пропозиції C3M0280090J-TR за ціною від 221.68 грн до 722.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0280090J-TR C3M0280090J-TR Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.51 грн
10+389.83 грн
25+338.22 грн
100+303.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TR C3M0280090J-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+722.65 грн
10+476.94 грн
100+352.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TR Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+221.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TR Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+238.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TR Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.