C3M0280090J

C3M0280090J Wolfspeed(CREE)


C3M0280090J-DTE.pdf Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+384.03 грн
3+ 290.64 грн
8+ 274.84 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0280090J Wolfspeed(CREE)

Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V.

Інші пропозиції C3M0280090J за ціною від 261.41 грн до 590.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+406.17 грн
100+ 337.99 грн
250+ 330.98 грн
500+ 278.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0280090J-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.84 грн
3+ 362.18 грн
8+ 329.8 грн
50+ 317.44 грн
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed, Inc. C3M0280090J.pdf Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+534.43 грн
10+ 440.84 грн
100+ 367.37 грн
500+ 304.2 грн
1000+ 273.78 грн
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed C3M0280090J.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+565.61 грн
10+ 477.89 грн
50+ 376.64 грн
100+ 346.29 грн
250+ 325.85 грн
500+ 305.4 грн
1000+ 275.06 грн
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : MACOM C3M0280090J.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+565.61 грн
10+ 477.89 грн
50+ 376.64 грн
100+ 346.29 грн
250+ 325.85 грн
500+ 305.4 грн
1000+ 275.06 грн
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : WOLFSPEED C3M0280090J.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+590.48 грн
5+ 528.32 грн
10+ 466.17 грн
50+ 410.19 грн
100+ 332.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090J Виробник : CREE C3M0280090J.pdf N-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0280090J C3M0280090J
Код товару: 118894
C3M0280090J.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній