Інші пропозиції C3M0280090J за ціною від 270.77 грн до 668.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0280090J | Виробник : CREE |
 N-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090Jкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0280090J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns Case: D2PAK-7 Technology: C3M™; SiC Mounting: SMD Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 9.5nC Reverse recovery time: 20ns On-state resistance: 0.28Ω Drain current: 11A Drain-source voltage: 900V Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0280090J | Виробник : MACOM |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0280090J | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0280090J | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0280090J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|