Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > C3M0280090J

C3M0280090J

Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf
Код товару: 118894
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C3M0280090J за ціною від 267.69 грн до 661.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C3M0280090J C3M0280090J CREE info-tc3m0280090j.pdf N-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+321.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed(CREE) C3M0280090J-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+569.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J C3M0280090J WOLFSPEED CREE-S-A0013446613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+635.65 грн
5+493.42 грн
10+351.18 грн
50+316.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.00 грн
50+350.42 грн
100+322.85 грн
500+267.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J C3M0280090J MACOM Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J info-tc3m0280090j.pdf
C3M0280090J
Виробник: CREE
N-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+321.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J C3M0280090J-DTE.pdf
C3M0280090J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+569.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J CREE-S-A0013446613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
C3M0280090J
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+635.65 грн
5+493.42 грн
10+351.18 грн
50+316.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf
C3M0280090J
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+661.00 грн
50+350.42 грн
100+322.85 грн
500+267.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf
C3M0280090J
Виробник: MACOM
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf
C3M0280090J
Виробник: Wolfspeed
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.