C3M0280090J

C3M0280090J Wolfspeed(CREE)


C3M0280090J-DTE.pdf Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+380.29 грн
3+ 297.93 грн
8+ 281.65 грн
10+ 280.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0280090J Wolfspeed(CREE)

Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: C2M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції C3M0280090J за ціною від 272.16 грн до 608.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+422.87 грн
100+ 351.89 грн
250+ 344.59 грн
500+ 290.28 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0280090J-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+456.34 грн
3+ 371.26 грн
8+ 337.98 грн
10+ 336.28 грн
50+ 325.24 грн
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+536.46 грн
50+ 412.48 грн
100+ 369.05 грн
500+ 305.6 грн
1000+ 275.04 грн
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+582.55 грн
10+ 492.19 грн
50+ 387.91 грн
100+ 356.66 грн
250+ 335.6 грн
500+ 314.54 грн
1000+ 283.29 грн
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : MACOM Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+582.55 грн
10+ 492.19 грн
50+ 387.91 грн
100+ 356.66 грн
250+ 335.6 грн
500+ 314.54 грн
1000+ 283.29 грн
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : WOLFSPEED CREE-S-A0013446613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+608.15 грн
5+ 544.14 грн
10+ 480.12 грн
50+ 422.47 грн
100+ 342.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090J Виробник : CREE Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf N-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+272.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0280090J C3M0280090J
Код товару: 118894
Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній