на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 280.95 грн |
| 46+ | 270.19 грн |
| 50+ | 249.53 грн |
| 100+ | 206.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0350120J Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V, Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0350120J за ціною від 220.84 грн до 631.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
C3M0350120J | Виробник : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0350120J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0350120J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0350120J | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0350120J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0350120J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| C3M0350120J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |