C3M0900170D

C3M0900170D Wolfspeed, Inc.


Wolfspeed_C3M0900170D_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1700V 4.4A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1200 V
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0900170D Wolfspeed, Inc.

Description: SICFET N-CH 1700V 4.4A TO247-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +20V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1200 V.

Інші пропозиції C3M0900170D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0900170D C3M0900170D Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0900170D_data_sheet.pdf SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.