| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 364.97 грн |
| 10+ | 284.44 грн |
| 30+ | 174.88 грн |
| 120+ | 144.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0900170M Wolfspeed
Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Vgs (Max): +20V, -8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Supplier Device Package: TO-3PF-3L, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA, Power Dissipation (Max): 33W (Tc).
Інші пропозиції C3M0900170M за ціною від 229.91 грн до 420.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0900170M | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Vgs (Max): +20V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Supplier Device Package: TO-3PF-3L Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|