C4D02120E-TR Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 167pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 65.09 грн |
| 5000+ | 62.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C4D02120E-TR Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 167pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції C4D02120E-TR за ціною від 54.03 грн до 215.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C4D02120E-TR | Виробник : Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2A |
на замовлення 4971 шт: термін постачання 112-121 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C4D02120E-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 167pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
на замовлення 10842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C4D02120E-TR | Виробник : Wolfspeed |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 9A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C4D02120E-TR | Виробник : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 3705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C4D02120E-TR | Виробник : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |