C4D02120E
Код товару: 165994
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції C4D02120E за ціною від 51.54 грн до 257.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C4D02120E | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C4D Power dissipation: 52W |
на замовлення 621 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
C4D02120E | Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 167pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
на замовлення 5512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
C4D02120E | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C4D02120E - SiC-Schottky-Diode, Silizium, Z-Rec 1200V, Einfach, 1.2 kV, 9 A, 11 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 11nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Z-Rec 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
C4D02120E | Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2A |
на замовлення 9871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C4D02120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 52W
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 52W
на замовлення 621 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 177.69 грн |
| 5+ | 127.68 грн |
| 10+ | 111.10 грн |
| 25+ | 93.69 грн |
| 40+ | 85.40 грн |
| 75+ | 82.91 грн |
| C4D02120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 167pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 167pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 5512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.58 грн |
| 75+ | 91.61 грн |
| 150+ | 82.87 грн |
| 525+ | 66.10 грн |
| 1050+ | 61.05 грн |
| 2025+ | 57.00 грн |
| 5025+ | 51.54 грн |
| C4D02120E |
![]() |
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C4D02120E - SiC-Schottky-Diode, Silizium, Z-Rec 1200V, Einfach, 1.2 kV, 9 A, 11 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Z-Rec 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WOLFSPEED - C4D02120E - SiC-Schottky-Diode, Silizium, Z-Rec 1200V, Einfach, 1.2 kV, 9 A, 11 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Z-Rec 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 257.15 грн |
| 10+ | 149.47 грн |





