Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C4D20120H Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO2472, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 54A, Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C.
Інші пропозиції C4D20120H за ціною від 604.58 грн до 1176.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C4D20120H | Wolfspeed, Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO2472Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 54A Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
C4D20120H | Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes 20A 1200V SiC Schottky Diode |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C4D20120H |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO2472
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 54A
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO2472
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 54A
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1176.31 грн |
| 30+ | 699.44 грн |
| 120+ | 604.58 грн |