C6D04065E-TR

C6D04065E-TR Wolfspeed, Inc.


Wolfspeed_C6D04065E_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 256pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.11 грн
10+128.21 грн
100+88.09 грн
500+66.57 грн
1000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C6D04065E-TR Wolfspeed, Inc.

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO2522, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 256pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

Інші пропозиції C6D04065E-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C6D04065E-TR Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C6D04065E_data_sheet.pdf C6D04065E-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D04065E-TR C6D04065E-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D04065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 256pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.